近日，從中國科學(xué)院空間應(yīng)用工程與技術(shù)中心獲悉，利用中國空間站高溫材料科學(xué)實驗柜，我國科研人員完成銦硒半導(dǎo)體晶體生長實驗，獲得完整晶體樣品。

　　半導(dǎo)體材料在集成電路、電力電子、通信等領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。銦硒半導(dǎo)體晶體是一種柔性半導(dǎo)體材料，不僅具有傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料優(yōu)異的物理性能，而且可像金屬一樣進行塑性變形和機械加工，為未來新型電子器件設(shè)計及應(yīng)用提供一條新途徑。

　　然而，在現(xiàn)有條件下，制備出滿足應(yīng)用要求的銦硒半導(dǎo)體晶體仍面臨巨大挑戰(zhàn)。即便科學(xué)家反復(fù)優(yōu)化生長條件，所得到的銦硒半導(dǎo)體晶體仍含有極高的缺陷密度，這對半導(dǎo)體器件的性能和材料應(yīng)用造成了嚴重影響。

　　“半導(dǎo)體的材料組分、結(jié)構(gòu)和性能與環(huán)境和制備條件密切相關(guān)?？臻g微重力環(huán)境，為銦硒半導(dǎo)體材料制備和相關(guān)機理研究提供了獨特條件?！敝袊茖W(xué)院上海硅酸鹽所研究員劉學(xué)超說，2022年10月31日，裝在高溫材料科學(xué)實驗柜中的銦硒半導(dǎo)體晶體樣品，隨夢天艙進入太空，200余天后，包括銦硒半導(dǎo)體晶體在內(nèi)的部分樣品跟隨神舟十五號航天員返回地球。

　　同時，研究團隊在地面實驗室里配備了一套空間站高溫材料實驗柜的“鏡像系統(tǒng)”，即除了重力不同之外，其他條件與空間站完全一致，在其內(nèi)開展銦硒半導(dǎo)體晶體樣品的地面匹配實驗。

　　“在空間站高溫材料實驗柜中，銦硒半導(dǎo)體晶體歷經(jīng)70小時，順利完成了生長實驗，獲得了完整的晶體樣品?！眲W(xué)超說，在空間生長的銦硒半導(dǎo)體晶體的位錯密度大幅低于地面，甚至在生長初期存在近零位錯區(qū)域——如果可以攻克銦硒半導(dǎo)體缺陷密度極高的瓶頸，有望將其制成世界上速度最快、能耗最低的晶體管。

　　此外，研究人員還觀察到，銦硒半導(dǎo)體晶體的晶格參數(shù)變大了?！斑@說明晶體結(jié)構(gòu)可能發(fā)生了膨脹現(xiàn)象?！眲W(xué)超說，“我們計劃未來開展微重力生長摻雜銦硒半導(dǎo)體晶體及性能研究、附加旋轉(zhuǎn)磁場生長銦硒半導(dǎo)體晶體及性能調(diào)控研究、摻雜銦硒半導(dǎo)體空間/地面晶體質(zhì)量對比及半導(dǎo)體器件研究?！?/p>